一种芯片的自毁装置及制造方法

本发明提供一种芯片的自毁装置及制造方法，包括：芯片、穿硅通孔、二氧化硅层、金属微加热器层、第一聚对二甲苯层、第二聚对二甲苯层和背板层；穿硅通孔设置在芯片的厚度方向；芯片凹槽结构设置在芯片背面且位于相邻的穿硅通孔之间；二氧化硅层、金属微加热器层、第一聚对二甲苯层、第二聚对二甲苯层和背板层延芯片有源面朝向芯片背面的方向依次设置；二氧化硅层覆盖在芯片背面及芯片凹槽结构的凹槽内部；第二聚对二甲苯层覆盖在第一聚对二甲苯层及芯片凹槽结构的开口方向，将芯片凹槽结构密封为一个密封凹槽，在密封凹槽内设置有填充物；背板层覆盖在第二聚对二甲苯层的表面。以达到通过小体积的自毁装置对芯片进行有效自毁的目的。