摘要
本发明提供一种星载SIP器件的寿命评估方法和设备,确定星载SIP器件中用于评估寿命的各关键结构;基于各所述关键结构的使用环境应力和失效机理,建立各所述关键结构对应的失效物理模型;基于蒙特卡洛法,对各所述关键结构的几何尺寸参数进行抽样,得到各所述关键结构的参数样本;将各所述参数样本代入到对应的失效物理模型中,得到各所述关键结构对应的寿命数据;基于各所述寿命数据,拟合得到各所述关键结构的寿命概率密度函数;基于各所述寿命概率密度函数,得到各所述关键结构的寿命;基于各所述关键结构的寿命评估所述星载SIP器件的寿命,实现了基于竞争失效理论的星载SIP器件的可靠性评估。
技术关键词
失效物理模型
寿命评估方法
芯片结构
材料热膨胀系数
概率密度函数
硅通孔结构
基板材料
电迁移失效
倒装结构
引线结构
基板结构
栅氧化层
应力
蒙特卡洛法
样本
金属化
芯片互连结构
系统为您推荐了相关专利信息
概率密度函数
测试场景
高斯混合模型
蒙特卡洛方法
参数
终端近场通信
基站
近场通信信道
信道估计
天线阵列
滚动轴承寿命
粒子
概率密度函数
连续小波变换
模式识别
寿命评估方法
磷酸铁锂电池
电池组
热传导方程
通信链路