星载SIP器件的寿命评估方法和设备

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星载SIP器件的寿命评估方法和设备
申请号:CN202411629867
申请日期:2024-11-15
公开号:CN119578059A
公开日期:2025-03-07
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种星载SIP器件的寿命评估方法和设备,确定星载SIP器件中用于评估寿命的各关键结构;基于各所述关键结构的使用环境应力和失效机理,建立各所述关键结构对应的失效物理模型;基于蒙特卡洛法,对各所述关键结构的几何尺寸参数进行抽样,得到各所述关键结构的参数样本;将各所述参数样本代入到对应的失效物理模型中,得到各所述关键结构对应的寿命数据;基于各所述寿命数据,拟合得到各所述关键结构的寿命概率密度函数;基于各所述寿命概率密度函数,得到各所述关键结构的寿命;基于各所述关键结构的寿命评估所述星载SIP器件的寿命,实现了基于竞争失效理论的星载SIP器件的可靠性评估。
技术关键词
失效物理模型 寿命评估方法 芯片结构 材料热膨胀系数 概率密度函数 硅通孔结构 基板材料 电迁移失效 倒装结构 引线结构 基板结构 栅氧化层 应力 蒙特卡洛法 样本 金属化 芯片互连结构
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