一种超高品质因子微环谐振器耦合结构

本发明涉及一种超高品质因子微环谐振器耦合结构，属于光电子集成技术领域。该微环谐振器耦合结构包括从下至上依次层叠的硅衬底、第一二氧化硅包层、微环、第二二氧化硅包层、直波导和第三二氧化硅包层。该耦合结构中光传输时在微环的上表面和直波导的下表面发生耦合，生长和化学机械抛光将最大程度降低表面的粗糙度，克服了传统同一平面耦合方案中光传输时在微环与直波导的双侧壁耦合，降低了受到刻蚀造成的较大粗糙度带来的额外损耗和反射。本发明可精准控制耦合间距，降低耦合结构的额外损耗和反射，有效提升微环谐振器的品质因子，为高精细滤波和高精度传感光子集成芯片提供关键解决方案。