一种氮化镓和砷化镓侧向单片异质集成射频芯片及其制备方法

本发明公开了一种氮化镓和砷化镓侧向单片异质集成射频芯片及其制备方法，包括背金属、衬底、氮化镓器件外延层、氮化镓器件电极漏极、氮化镓器件电极栅极、氮化镓器件电极源极、背通孔、砷化镓外延过渡层、砷化镓器件外延层、砷化镓器件电极源极、砷化镓器件电极栅极、砷化镓器件电极漏极；氮化镓和砷化镓外延材料和射频器件共用背金属和衬底，砷化镓射频器件通过在异质衬底氮化镓晶圆上选择区域挖槽外延生长砷化镓材料，并加工砷化镓器件的方式实现水平方向的单片异质集成；本发明可以使氮化镓和砷化镓射频器件具有极小的空间间距，减少了高频下长距离传输信号的损耗和寄生参数的影响，并且减小了芯片面积与芯片体积，减少了封装成本。