碳化硅基集成半导体器件及其制备方法

本发明涉及半导体技术领域，公开了碳化硅基集成半导体器件及其制备方法。碳化硅基集成半导体器件包括：衬底层、外延层、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、栅氧化层、栅极、势垒金属层、发射极和集电极，势垒金属层设置在外延层背离衬底层的一侧表面，势垒金属层与外延层和第二掺杂区相接触以形成肖特基接触；发射极与外延层与第三掺杂区相对远离栅氧化层的一侧相连接以形成欧姆接触，发射极与栅氧化层和栅极隔离设置。在碳化硅外延层上将IGBT芯片和SBD芯片高效融合集成为一颗芯片，利用SBD芯片低正向阻抗、开关时延短的性能，无须进行模块合封即可高效实现IGBT的功能，提升开关速度，有效减少IGBT芯片承受的正反向电流冲击和饱和压降。