摘要
本发明公开了一种图像传感器及其制作方法,属于半导体技术领域。所述图像传感器至少包括:衬底;光电感应区和掺杂区,间隔设置在所述衬底内;电容控制栅极,设置在所述掺杂区远离所述光电感应区一侧的所述衬底上;金属栅极电容结构,设置在所述电容控制栅极远离所述掺杂区一侧的所述衬底上,与所述电容控制栅极电连接,所述金属栅极电容结构与金属布线层内寄生电容并联。通过电容控制栅极控制金属栅极电容结构,从而实现双转换增益结构。通过本发明提供的一种图像传感器及其制作方法,能够节约芯片面积,能够灵活调整金属栅极电容结构的容值,有效改善双转换增益结构的电容值改善高转换增益和低转换增益的比例,提升图像传感器的动态范围。
技术关键词
金属栅极
电容结构
图像传感器
掺杂区
衬底
介质
传输栅极
控制栅极控制
硬掩膜层
光电
布线
芯片
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