一种图像传感器及其制作方法

AITNT
正文
推荐专利
一种图像传感器及其制作方法
申请号:CN202410899900
申请日期:2024-07-05
公开号:CN118763089A
公开日期:2024-10-11
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种图像传感器及其制作方法,属于半导体技术领域。所述图像传感器至少包括:衬底;光电感应区和掺杂区,间隔设置在所述衬底内;电容控制栅极,设置在所述掺杂区远离所述光电感应区一侧的所述衬底上;金属栅极电容结构,设置在所述电容控制栅极远离所述掺杂区一侧的所述衬底上,与所述电容控制栅极电连接,所述金属栅极电容结构与金属布线层内寄生电容并联。通过电容控制栅极控制金属栅极电容结构,从而实现双转换增益结构。通过本发明提供的一种图像传感器及其制作方法,能够节约芯片面积,能够灵活调整金属栅极电容结构的容值,有效改善双转换增益结构的电容值改善高转换增益和低转换增益的比例,提升图像传感器的动态范围。
技术关键词
金属栅极 电容结构 图像传感器 掺杂区 衬底 介质 传输栅极 控制栅极控制 硬掩膜层 光电 布线 芯片 真空 动态
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种降低高压SOI BCD工艺寄生电容制备方法
光刻 多晶场板 淀积 介质 调制电场
2
一种BMU自动测试机及测试方法
自动测试机 台面 自动测试方法 测试台 机械臂
3
一种基于离散化光敏选通的贴壁细胞灭杀的微流控芯片
透明电极衬底 电极单元 复合电极层 微电极阵列 培养室
4
一种目标监测方法、装置及电子设备
数字孪生模型 云台 监测方法 神经网络模型 多模态
5
一种AlGaO/GaO异质结MIS-HEMT高性能热电器件的制备方法
高性能热电器件 剥离光刻胶 欧姆接触层 二维电子气浓度 电子束
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号