一种AlGaO/GaO异质结MIS-HEMT高性能热电器件的制备方法

本发明公开了一种高性能AlGaO/GaO异质结MIS‑HEMT热电器件的制备方法，采用δ掺杂技术提高AlGaO/GaO异质界面处二维电子气浓度，形成δ层和界面二维电子气双导电沟道，利用栅极势垒对δ掺杂层和界面二维电子气的能量过滤效应，提高塞贝克系数，实现塞贝克系数与电导率的去耦合。本发明通过对δ掺杂浓度、掺杂位置和栅极长度等器件结构优化，首次公开了一种高性能热电器件的制备方法，制备得到的器件稳定，该器件在集成电路芯片能量收集和温度传感方面有重要应用。