深源极超结MOSFET器件及其制备方法、芯片

本申请属于功率器件技术领域，提供了一种深源极超结MOSFET器件及其制备方法、芯片，通过设置凸形结构的N型漂移层，在N型漂移层的两侧形成第一栅极多晶硅层和第二栅极多晶硅层，减小栅极面积，降低栅极电荷，并利用倒山字形结构的源极层控制第一栅极多晶硅层和第二栅极多晶硅层之间的第三P型基区的开启，增加电流导通通道，还可以通过控制绝缘介质层的厚度使得其导通电压低于体二极管的导通压降，减少P型源极的空穴注入，而且N型源极的存在增加了电子浓度，提高了正向导通电流，不会影响器件的正向导通特性，同时还降低了少子空穴的寿命，进一步改善了器件的反向恢复。