一种增强型级联耦合激光芯片及制备方法

本发明公开了一种增强型级联耦合激光芯片及制备方法，包括：在同一外延结构上表面上依次设置的片上布拉格反射光栅、脊形波导阵列、第一泄漏槽、锥形波导阵列、第二泄漏槽和级联耦合区；片上布拉格反射光栅设置在脊形波导阵列后端面，第一泄漏槽设置在脊形波导阵列中的各个脊形波导的两边，第二泄漏槽设置在锥形波导阵列中的各个锥形波导的两边，级联耦合区设置在锥形波导阵列的前端面。本发明通过在脊形波导阵列后端设置片上布拉格反射光栅，并配合第一泄漏槽和第二泄漏槽，提高了激光纵模模式与横模模式的选择特性，再通过锥形波导阵列的放大作用和级联耦合区的耦合作用，得到大功率激光束输出，最终可获得高亮度、高功率的基模光束输出。