存储单元、集成电路、存储器、逻辑芯片和电子设备

本申请提供一种存储单元、集成电路、存储器、逻辑芯片和电子设备，存储单元包括：衬底；第一栅氧化层和控制栅极，沿衬底的厚度方向，第一栅氧化层设于衬底的一侧，控制栅极设于第一栅氧化层背离衬底的一侧；第二栅氧化层和浮动栅极；第二栅氧化层设于衬底，且和第一栅氧化层位于衬底沿厚度方向的同一侧，第二栅氧化层与第一栅氧化层沿衬底的长度方向间隔设置，浮动栅极设于第二栅氧化层背离衬底的一侧；其中，第一栅氧化层包括第一介质层，第一介质层的介电常数大于16。使用该存储单元能够解决现有的Flash存储器中因存储单元为多层垂直结构而需要使用多层MASK的问题，利于降低存储器的成本。