一种超结MOSFET器件及其制备方法、芯片

本申请属于功率器件技术领域，提供了一种超结MOSFET器件及其制备方法、芯片，通过在栅极介质层两侧设置第一N型重掺杂区与第二N型重掺杂区，并且在第一P柱和第一P型基区之间设置与第一N型重掺杂区接触的第一横向介质层，在第二P柱与第二P型基区之间设置与第二N型重掺杂区接触的第二横向介质层，抑制了超结器件在反向恢复时第一P型基区中的空穴向第一P柱的注入，第二P型基区中的空穴向第二P柱的注入，转而注入至第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区，进而改变了反向恢复时电流抽取路径，降低了反向恢复电荷，改善了反向恢复软度，有效降低了该超结器件在反向恢复中的硬恢复，提高了超结器件的软度因子。