改善开关损耗的超结IGBT器件及其制备方法、芯片

本申请属于功率器件技术领域，提供了一种改善开关损耗的超结IGBT器件及其制备方法、芯片，通过在发射极与P型漂移区之间，且栅极介质层的一侧设置、第一电荷存储区、P型阱区、第一P型重掺杂区，可以在器件开启时利用栅极电压耗尽P型阱区达到阻挡空穴的目的，并且在器件关断时使空穴流出，改善了超结IGBT器件的导通和关断损耗。