具有低输入电容的超结MOSFET及其制备方法、芯片

本申请属于功率器件技术领域，提供了一种具有低输入电容的超结MOSFET及其制备方法、芯片，通过设置呈凹形结构的P型阱区，在P型阱区内壁形成呈凹形结构的绝缘介质层，并设置形成于所述绝缘介质层内以及所述N型源区上的源极金属层，得到在P型阱区上向下延伸的深源极结构，增大了栅极和源极之间的距离，降低了栅极与源极之间的电容，因而，降低了输入电容，有利于提高超结MOSFET器件的开关速度，进而降低超结MOSFET器件在开关过程中的损耗，并降低了超结MOSFET在电路使用中的能耗。