降低栅极电阻的功率半导体器件及其制备方法

本发明公开了一种降低栅极电阻的功率半导体器件及其制备方法，制备方法包括：在硅衬底上沉积外延层，并在外延层上刻蚀形成栅极沟槽；在栅极沟槽的槽壁上形成栅氧化层；在栅极沟槽中淀积栅极多晶硅；通过离子注入形成体区与源区；在栅极多晶硅的一侧或两侧形成栅极金属布线；淀积二氧化硅介质层，并在二氧化硅介质层上制备源区通孔，在所述源区通孔中形成金属栓；完成沟槽型功率半导体器件的后续制备工艺。本发明中，通过改进工艺使功率半导体芯片内元胞的栅极信号主要通过金属而不是传统的多晶硅传输，由于金属的电阻率大大低于多晶硅，因此极大地降低了栅极电阻，提高了开关速度与线性区能力，优化了器件性能。