一种功率半导体器件封装结构和芯片

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一种功率半导体器件封装结构和芯片
申请号:CN202511031859
申请日期:2025-07-25
公开号:CN120857588A
公开日期:2025-10-28
类型:发明专利
摘要
本发明实施例提供了一种功率半导体器件封装结构和芯片,该功率半导体器件封装结构,包括:多个功率半导体器件模组;各个功率半导体器件模组依次包括:下层金属板、绝缘基板、上层金属板和功率半导体器件;多个功率半导体器件模组依次叠加,相邻的功率半导体器件模组之间,在上的功率半导体器件模组的下层金属板,与在下的功率半导体器件模组的上层金属板连接。从而实现对电压不平衡的补偿效应,减少了因负载变化引起的电压不平衡的风险,进而通过各个功率半导体器件模组中的下层金属板、绝缘基板和上层金属板,对各个功率半导体器件模组中的功率半导体器件进行了保护,避免了功率半导体器件的损坏。
技术关键词
功率半导体器件 金属板 模组 封装外壳 散热部件 绝缘 基板 芯片 铜板 电压 栅极 效应 电容 风险 电路
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