一种判定GaN基材料形成高阻的非破坏性表征方法

本发明公开了一种判定GaN基材料掺杂碳元素形成高阻的非破坏性表征方法，涉及半导体器件技术领域，包括：通过光致发光设备获得参考GaN基外延片和目标GaN基外延片的光谱图；根据光谱图，确定参考GaN基外延片、目标GaN基外延片中GaN本征发光峰、黄带发光峰分别对应的第一参考PL强度、第二参考PL强度、第一目标PL强度和第二目标PL强度；第一目标PL强度≤第一参考PL强度的10％且第二目标PL强度≤第二参考PL强度的10％，判定目标GaN基外延片形成高阻。该表征方法简便快捷，减少了芯片制造的工序，加快生产和研发的反馈速度，减少了试错和制造成本，判定结果直观，无需复杂的数据处理，属于非破坏性测试。