半导体器件及其制造方法

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：基底；电容结构，包括自下向上形成于所述基底上的下极板、介质层和上极板，所述下极板延伸至所述上极板的外围；导电结构和电感结构，所述导电结构形成于所述上极板外围的所述下极板上，所述电感结构形成于所述上极板上，所述导电结构与所述下极板连接，所述电感结构与所述上极板连接。本发明的技术方案解决了电容结构和电感结构相结合占用芯片面积过大等问题。