半导体结构

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半导体结构
申请号:CN202421923866
申请日期:2024-08-08
公开号:CN223007844U
公开日期:2025-06-20
类型:实用新型专利
摘要
本实用新型提供了一种半导体结构,包括:第一外延层,包括第一面和相对的第二面;位于第一外延层的第一面上的量子阱发光层、以及位于量子阱发光层上的第二外延层;散热导电结构,包括若干导电插塞,若干导电插塞贯穿第二外延层、量子阱发光层以及第一外延层,第二外延层表面暴露出若干导电插塞,若干导电插塞与第二外延层电连接,且导电插塞与量子阱发光层以及第一外延层绝缘;位于第一外延层的第二面的第一导电反射层,且第一导电反射层位于若干导电插塞之间,第一导电反射层与散热导电结构绝缘,且与第一外延层电连接;键合于散热导电结构上的导电基板。解决了垂直芯片中电流拥堵发热,以及发光效果变差的问题。
技术关键词
导电反射层 半导体结构 量子阱发光层 外延 导电结构 发光结构 导电基板 绝缘 电极 包裹 芯片 电流
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