功率器件

本申请提供的功率器件，在边缘终端区内，半导体外延片包括沿底部到顶部方向交替层叠设置的多个第一外延层以及多个第二外延层；第二外延层包括第一掺杂区和第二掺杂区；第一掺杂区环绕有源区一周形成第一环状结构；第一外延层和第一掺杂区为第一导电类型，第二掺杂区为第二导电类型；以此，在器件反偏，可增大器件在反偏时承受的耐压。且进一步设置相邻两个第二外延层中的第一掺杂区在衬底上的投影不完全重叠，能够增加电流路径长度，从而进一步地增加器件在反偏时外延层承受的耐压。以此，在器件耐压相同的情况下，本申请提供的功率器件，能够减小边缘终端区的尺寸，减少芯片面积的浪费。