用于相场模型模拟两相流的两相界面面积计算方法及系统

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用于相场模型模拟两相流的两相界面面积计算方法及系统
申请号:CN202411659267
申请日期:2024-11-20
公开号:CN119578295A
公开日期:2025-03-07
类型:发明专利
摘要
本公开涉及用于相场模型模拟两相流的两相界面面积计算方法及系统,方法包括以下步骤:S1、从相场模型模拟结果中提取出各个格点上的序参数值,并计算各个格点的序参数梯度值;S2、根据序参数值和序参数梯度值,计算两相系统各点的体自由能密度和界面自由能密度;S3、将计算得到的体自由能密度和界面自由能密度进行体积分,得到系统自由能F(φ);S4、根据相场模型的参数设置,计算两相系统的表面张力值σ;S5、根据系统自由能F(φ)和表面张力值σ,计算得到界面表面面积AF。本公开的方法避免了复杂的界面离散过程,因此也避免了与之相关的复杂网格离散算法和数据结构存储方式,以及该方法易于实现并行计算,能进一步提高计算效率。
技术关键词
面积计算方法 界面 两相系统 相场模型 密度 参数 离散算法 程序 存储器 处理器 网格 坐标 周期
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