芯片工艺角差异消除电路、方法及NAND闪存芯片

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芯片工艺角差异消除电路、方法及NAND闪存芯片
申请号:CN202411666956
申请日期:2024-11-21
公开号:CN119171885B
公开日期:2025-03-04
类型:发明专利
摘要
本发明公开了芯片工艺角差异消除电路、方法及NAND闪存芯片,涉及集成电路技术领域,包括输入信号放大模块、无损容值模拟模块、信号开关控制模块、等电势元件和时钟频率检测模块,所述输入信号放大模块放大输入端的电信号并对放大后的电信号进行传输,使被放大后的电信号被传输至分压元件上。本发明能够模拟被测模块中电容上的无损耗电流,消除了被测模块中电容本身具有的绝缘电阻引起的漏电流对测试电路的不良影响,同时能够消除漏电流对计算结果精度的影响,并使RC振荡器能够工作在慢角条件下,有利于提高PVT检测的独立性与高阻容振荡器PVT测试的检测准确性度,满足电容C在慢角条件下的测试进程。
技术关键词
N沟道场效应管 开关单元 模拟单元 反相器 频率检测模块 元件 控制单元 信号开关 NAND闪存芯片 基尔霍夫电流定律 栅极 输出端 电信号 门电路结构
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