一种垂直LED芯片的测试方法

本发明公开了一种垂直LED芯片的测试方法，涉及半导体技术领域，包括以下步骤：将第一承载膜贴合到承载环上，并在第一承载膜上至少开设3个孔洞；将晶圆片贴合到第一承载膜上，孔洞显露出晶圆片的背面；切割晶圆片的正面，形成若干垂直LED芯片测试单元；将第一承载膜贴合到金属平台上，晶圆片的背面通过孔洞与金属平台形成欧姆接触；测试机的探针对垂直LED芯片测试单元进行接触测试；将测试后的晶圆片翻转到第二承载膜上，显露出晶圆片的背面，切割，获得若干垂直LED芯片颗粒。本发明通过使用开孔的承载膜承载晶圆片，再依次进行正面微切、测试以及换膜背切，有效降低了晶圆片破片的风险，保障了后续加工的顺利进行。