IGZO薄膜质量评估方法及电子设备

本发明涉及半导体材料的微观结构和电学性能评估技术领域，具体公开了一种IGZO薄膜质量评估方法及电子设备，所述方法包括：对硅衬底进行预处理；采用光学显微镜对IGZO薄膜样品进行成像，并对图像内容进行微观结构分析；对IGZO薄膜样品进行电学性能综合测试；结合上述针对IGZO薄膜样品得到的微观结构分析结果以及电学性能测试数据，计算IGZO薄膜样品的综合质量指数QI；并根据综合质量指数QI，采用控制变量法优化IGZO薄膜的生产工艺。本发明实施例的IGZO薄膜质量评估方法及电子设备，通过结合光学显微镜图像分析与多参数电学性能测试，实现了对IGZO薄膜微观结构与电学性能的全面综合评估。该方法不仅简化了IGZO薄膜质量评估的流程，而且为优化制备工艺和提升薄膜性能提供了有力的数据支持。