一种电容芯片的生产工艺

本发明涉及一种电容芯片的生产工艺，该工艺通过刻蚀硅衬底形成瓶状沟槽结构，在沟槽中通过沉积硅晶粒、离子注入、形成中间介质层、刻蚀中间介质层和沉积导电层的步骤，形成具有凸起形状的上电极和下电极；在相邻三个沟槽电容之间的空隙进行孔刻蚀、沉积散热绝缘材料形成散热隔离结构。本发明通过两次刻蚀工艺形成瓶状沟槽，结合电极的凸起结构，进一步提高芯片电容值；另外本发明通过形成散热隔离结构，提高芯片集成密度，改善电容芯片的散热性能，同时进一步改善电容之间的电绝缘性能。