一种PI辅助Micro-LED巨量转移方法

发明公开了一种PI辅助Micro‑LED巨量转移方法，包括以下步骤：在衬底上制备Micro‑LED芯片；在第一基板表面设置结合层、UV解胶层；将第一基板与Micro‑LED芯片的n型电极和p型电极临时键合；将Micro‑LED芯片剥离至UV解胶层上；将Micro‑LED芯片表面形成PI固化膜；在第二基板表面设PI半固化膜，将PI固化膜与半固化膜键合，UV解胶层与Micro‑LED芯片分离，将Micro‑LED芯片转移到第二基板上；使Micro‑LED芯片转移到电路板上；去除PI固化膜和PI半固化膜。本发明能够满足巨量转移的大规模、高良率、低成本以及高速转移的需求，兼容各尺寸芯片转移。