一种SiC MOSFET移相全桥拓扑电路及控制方法

本发明公开了一种SiC MOSFET移相全桥拓扑电路及控制方法，属于移相全桥拓扑电路技术领域，本发明提出了一种副边采用有源吸收电路的SiC MOSFET移相全桥拓扑。本发明提出了一种解决SiC MOSFET移相全桥拓扑在空载情况下层间电容干扰导致误关断问题的方法。本发明提出了一种解决副边整流二极管寄生振荡问题的有源吸收电路，能够在吸收振荡电压的同时将吸收电容中的能量回馈至负载，基本不会产生额外的损耗。