一种倒装银镜发光二极管芯片及其制备方法

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一种倒装银镜发光二极管芯片及其制备方法
申请号:CN202411688016
申请日期:2024-11-25
公开号:CN119208492A
公开日期:2024-12-27
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种倒装银镜发光二极管芯片及其制备方法,所述倒装银镜发光二极管芯片的制备方法包括以下步骤:提供一衬底,于衬底上依次沉积N型半导体层、有源发光层、P型半导体层,刻蚀以于N型半导体层上形成暴露区域,在P型半导体层上溅射形成电流扩展层,沉积形成第一绝缘层,蒸镀形成布拉格反射层,刻蚀以形成N型布拉格反射层通孔及P型布拉格反射层通孔,利用等离子清洗机进行刻蚀,通过刻蚀功率逐渐增大的Ar刻蚀,再通过O2刻蚀,然后进行清洗,蒸镀形成银反射镜层,利用电子束蒸镀方法,减小银金属层的应力,大幅改善电子束蒸镀工艺制备银反射镜层出现脱落的问题。
技术关键词
发光二极管芯片 布拉格反射层 银反射镜 银镜 功率 等离子清洗机 半导体层 有源发光层 电流扩展层 离子源 电子束蒸镀方法 通孔 层叠结构 衬底 阶段 上沉积 周期
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