一种基于D2NNs的太赫兹相控阵器件及其实现方法

本发明涉及一种基于D2NNs的太赫兹相控阵器件及其实现方法。该相控阵器件包括主动调制层与两层超表面层结构。主动调制层主要包括图案化微纳金属电极和主动功能材料，通过外加电压实现主动功能材料光学性质的调节，从而在太赫兹波段实现特定相位分布的光束输出。超表面层由位于衬底表面的硅柱结构阵列构成，两层超表面层能够精细化控制特定衍射平面的复电场分布，构建光学衍射神经网络架构。对于每个所需要的调控模式利用神经网络中的梯度下降和反向传播算法优化超表面层的相位分布,可以在不同电压驱动下实现特定光束方向的主动调控。本发明解决了太赫兹相控阵技术在调控精度、连续性等方面的问题，提供了更高效、灵活的波束调控方法。