高密度封装结构及其制备方法

本发明涉及一种高密度封装结构及其制备方法，该高密度封装结构中，在中介层结构上形成芯片，中介层结构取代传统的涂布PI等有机膜层再光刻镀铜形成的布线层结构，从而可以防止或改善后续第一沉积工艺过程种中PI等有机膜层由于受热挥发而污染沉积腔室。同时，采用第一沉积工艺形成第一封装层覆盖芯片与中介层结构，从而对产品进行封装。由于该第一封装层通过沉积工艺形成，其厚度可以更薄，散热性能可以比传统塑封方式形成的封装散热更佳。并且，通过沉积工艺便于形成与中介层结构（如硅中介层）的热膨胀系数更加匹配的第一封装层（如SiO2材料或Si3N4材料或SiC材料），从而可以降低产品的翘曲。