一种基于补偿结构的超高频射频卡及制作方法

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一种基于补偿结构的超高频射频卡及制作方法
申请号:CN202411697358
申请日期:2024-11-26
公开号:CN119538962A
公开日期:2025-02-28
类型:发明专利
摘要
本申请提供的一种基于补偿结构的超高频射频卡,其可以降低超高频标签的信号在射频卡正反面两侧的增益差,确保任何场景下超高频射频卡的两面都能被快速而准确地识读。其内部的射频芯片、射频天线设置为非对称性设置,所以射频芯片、射频天线所在的射频卡正面信号较强,本申请通过设置补偿介质层,在补偿介质层中位于远离射频芯片和射频天线的一侧,增加介电性能较高的含有金属氧化物的镀层薄膜,作为信号反射层,将部分反射的信号重新反射回读取器方向,增加远离射频芯片的一侧的信号强度。同时,本申请还公开了一种基于补偿结构的超高频射频卡的制作方法。
技术关键词
补偿结构 射频卡 封装载体 射频芯片 介质基板 高分子化合物涂料 制作射频天线 镀层 金属氧化物薄膜 超高频标签 偶极子天线 非对称结构 薄膜层 生成方式 波长
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