显示芯片及其制作方法

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显示芯片及其制作方法
申请号:CN202411698651
申请日期:2024-11-26
公开号:CN119181751B
公开日期:2025-04-18
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种显示芯片及其制作方法。该显示芯片包括至少两个层叠设置的发光单元,发光单元包括层叠设置的N型导电接触层、发光功能层和P型导电接触层;在发光单元中,至少一个P型导电接触层远离发光功能层的一侧设置有隧穿结;隧穿结包括层叠设置的p型掺杂层、多层铝镓氮插入层和n型掺杂层;其中一发光单元的N型导电接触层与n型掺杂层相邻设置,另一发光单元的P型导电接触层与p型掺杂层相邻设置;沿n型掺杂层指向p型掺杂层的方向,至少部分铝镓氮插入层的铝掺杂浓度逐渐增加。提高了显示芯片的发光效率。
技术关键词
导电接触层 发光单元 p型掺杂层 芯片 层叠 n型氮化镓 p型氮化镓 颜色
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