光刻掩模多目标鲁棒优化方法、系统、计算机设备和介质

本申请实施例涉及光刻技术领域，提供了一种光刻掩模多目标鲁棒优化方法、系统、计算机设备和介质，其中方法包括：基于光刻仿真模型确定初始掩模版在N种工艺参数下分别获得的晶圆图案，N为大于1的整数；基于各种所述工艺参数获得的所述晶圆图案和目标图案之间的偏差，构建N个损失函数，每个所述损失函数对应一种所述工艺参数；对所述初始掩模版进行多轮迭代优化，直至所有的所述损失函数均收敛且达到均衡，得到优化后掩模版。根据本申请实施例方案所获得的优化后掩模版对不同的工艺参数均具有良好的适应性和较高的鲁棒性。