矩形硅片的处理工艺及其应用

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种矩形硅片的处理工艺及其应用。所述处理工艺包括：在制绒前依次进行一次清洗处理和二次清洗处理；其中，所述一次清洗处理后所述矩形硅片的反射率为30%~40%；所述二次清洗处理后所述矩形硅片的反射率为10%~20%。本发明提供的矩形硅片的处理工艺及其应用，通过在常规清洗工艺后进行二次清洗，并控制清洗处理后所述矩形硅片的反射率，能够有效将硅片表面的硅粉彻底清除。