一种基于混合谐振的通感一体光芯片及制备方法

本发明公开了一种基于混合谐振的通感一体光芯片及制备方法，涉及光电集成技术领域。本发明包括硅基片，所述硅基片的顶部沉积有氧化埋层，所述氧化埋层的上方安装有多层矩形波导，多层矩形波导的一端与氧化埋层保持齐平，另一端安装有硅矩形波导，所述多层矩形波导朝向氧化埋层中心的一端设置有反向拉锥部，硅矩形波导远离氧化埋层中心的一端设置有正向拉锥部。本发明基于片上光互连实现介质‑金属混合型谐振腔与片上硅及普通介质波导的混合集成，利用光学和等离子体模式间的强耦合激发出准连续谱束缚态，既能够实现高灵敏度的片上光传感，又极大地提升了品质因子，并且具有较低的传输损耗。