一种晶体内部体缺陷的检测方法

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一种晶体内部体缺陷的检测方法
申请号:CN202411720455
申请日期:2024-11-28
公开号:CN119198774B
公开日期:2025-03-14
类型:发明专利
摘要
一种晶体内部体缺陷的检测方法,包括以下步骤:S1、取经过检测的存在内部体缺陷的晶体;S2、利用线光源从晶体侧面进行照射,以获取包含晶体内部体缺陷的散射光的晶体层析图像;对晶体层析图像进行大小修正;S3、对修正后的晶体层析图像进行时序分析及处理,突出缺陷点的特征;S4、结合已知晶体的内部缺陷位置及该位置的检测时序信号,训练RNN模型得到晶体内部缺陷检测模型;S5、重复训练得到最终晶体内部缺陷检测模型;S6、将经过S2‑S3处理得到的待测晶体的时序信号输入最终模型中,即得到内部缺陷位置信息;S7、根据缺陷在平面上的表征滤除假缺陷。本发明解决了目前晶体内部缺陷识别过程复杂和识别效率低的问题。
技术关键词
晶体 内部缺陷检测 线结构 CCD相机 电机模组 RNN模型 相机支架 正确率 控制旋转平台 激光 图像采集装置 时序 缺陷位置信息 散射光 信号处理方式 训练集 结构光图像 线光源
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