MEMS惯性芯片及其制备方法

本发明涉及惯性器件技术领域，提供了一种MEMS惯性芯片，包括ASIC晶圆和MEMS惯性器件，还包括TEC，所述TEC、所述ASIC晶圆以及所述MEMS惯性器件依次叠层设置，所述MEMS惯性器件包括盖体和活动单元，所述ASIC晶圆和所述盖体配合密封所述活动单元。本发明还提供一种MEMS惯性芯片的制备方法。ASIC晶圆作为MEMS惯性器件的下盖，通过键合即可实现MEMS惯性器件的活动单元的机械保护和密封，无需单独额外制备下盖结构，有效简化工艺，同时有效降低集成芯片的尺寸与体积。将MEMS惯性器件与TEC集成，能够有效控制器件外围的温度环境，降低器件的温度效应，降低器件的标度因子、零偏等参数随温度的变化，进而提高器件的性能。