一种微集成温控加温半导体激光二极管及其制作方法

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一种微集成温控加温半导体激光二极管及其制作方法
申请号:CN202411727310
申请日期:2024-11-28
公开号:CN119481941A
公开日期:2025-02-18
类型:发明专利
摘要
本发明提出了一种微集成温控加温半导体激光二极管及其制作方法,用以解决现有封装激光二极管中控温精度较低、组合器件较多、封装工艺难度较大、成本较高的技术问题。本发明提出一种可以精准控温、成本低廉、能简化封装工艺的微集成温控加温半导体激光二极管,包括激光器芯片,激光器芯片由下到上依次包括衬底、第一缓冲层、有源层、第二缓冲层和钝化层,衬底的背面设有负极电极;所述钝化层上蚀刻出两沟槽,两沟槽之间的脊条形成波导;所述两沟槽上的两侧分别设有加热电阻和热敏电阻。本发明采用微集成技术将制热功能和测温功能集成一体于半导体激光器上,有效减少了器件使用数量,减小封装体积,简化封装程序和器件封装成本。
技术关键词
半导体激光二极管 集成温控 热敏电阻 氮化铝衬底 激光器芯片 焊盘 氮化硅层 电极金属层 激光器二极管 激光二极管结构 二氧化硅 加热 钛金属薄膜 电阻层 芯片键合区 光刻 负极电极 金属薄膜层
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