摘要
本申请的实施例公开了一种芯片、芯片的制造方法和光计算设备。芯片包括光栅耦合器,上述芯片的制造方法包括:提供衬底,在所述衬底上形成图形化掩膜层;基于图形化掩膜层刻蚀衬底,以形成光栅耦合器的至少一部分;在所述图形化掩膜层上形成第一介质层,所述第一介质层覆盖所述光栅耦合器的所述至少一部分以及覆盖所述图形化掩膜层;去除所述第一介质层的一部分,使得所述图形化掩膜层的侧壁的至少一部分露出;去除所述图形化掩膜层,得到平坦化的第一介质层的表面。
技术关键词
图形化掩膜层
刻蚀衬底
介质
光栅耦合器
芯片
多晶硅
氮化硅
绝缘体
机械
系统为您推荐了相关专利信息
轨道
异常检测方法
轻量卷积神经网络
天车系统
融合特征
平台
计算机可读代码
验证系统
计算机程序指令
存储系统
时间序列预测模型
预测序列数据
特征时间点
数据处理方法
医疗数据挖掘技术