芯片、芯片的制造方法和光计算设备

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芯片、芯片的制造方法和光计算设备
申请号:CN202411728552
申请日期:2024-11-27
公开号:CN119620290A
公开日期:2025-03-14
类型:发明专利
摘要
本申请的实施例公开了一种芯片、芯片的制造方法和光计算设备。芯片包括光栅耦合器,上述芯片的制造方法包括:提供衬底,在所述衬底上形成图形化掩膜层;基于图形化掩膜层刻蚀衬底,以形成光栅耦合器的至少一部分;在所述图形化掩膜层上形成第一介质层,所述第一介质层覆盖所述光栅耦合器的所述至少一部分以及覆盖所述图形化掩膜层;去除所述第一介质层的一部分,使得所述图形化掩膜层的侧壁的至少一部分露出;去除所述图形化掩膜层,得到平坦化的第一介质层的表面。
技术关键词
图形化掩膜层 刻蚀衬底 介质 光栅耦合器 芯片 多晶硅 氮化硅 绝缘体 机械
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