一种高可靠性chiplet封装实现方法

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一种高可靠性chiplet封装实现方法
申请号:CN202411730905
申请日期:2024-11-29
公开号:CN119833402A
公开日期:2025-04-15
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种高可靠性chiplet封装实现方法,属于芯片封装技术领域,方法包括在包含多个chiplet的晶圆中,对各个chiplet制作TSV;在制作TSV后的晶圆正面贴合NCF膜;从晶圆背面进行减薄处理,直至露出TSV,将晶圆切割成单个chiplet;通过TCB键合技术将切割后的chiplet与基板键合在一起,之后在键合后的chiplet上通过TCB工艺叠加另一chiplet,直至达到所需层数,封装成完整的chiplet模块;键合后的chiplet之间依靠TSV形成信息交互,且NCF膜完全填充于chiplet的凸点间以及chiplet与基板间的空隙中;本发明通过对chiplet采用TSV处理,不同功能的chiplet可依靠TSV形成堆叠并进行信息交互,避免因平铺在基板上而造成基板线路又多又长等问题,有数据延迟小,集成度高、降低功耗等优点,并缩小最终封装体的体积。
技术关键词
基板 芯片封装技术 模块 空隙 超声波 正面 晶圆 平铺 热压 气泡 线路 间距 数据
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