一种GaN集成功率芯片抛负载测试系统及方法

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一种GaN集成功率芯片抛负载测试系统及方法
申请号:CN202411732984
申请日期:2024-11-29
公开号:CN119596105A
公开日期:2025-03-11
类型:发明专利
摘要
本发明涉及电力电子技术领域,更具体地,涉及一种GaN集成功率芯片抛负载测试系统及方法,其中系统包括:测试模块:对GaN集成功率芯片进行电学特性测量;应力模块:用于施加应力,模拟GaN集成功率芯片在实际工况下的工作环境和应力条件;电源模块:通过连接双脉冲动态导通电阻测试装置,为其供电;控制模块:通过连接双脉冲动态导通电阻测试装置,为其提供双脉冲信号。示波器模块:监测GaN集成功率芯片的电学特性。本发明然后通过应力模块以及电源模块对GaN集成功率芯片施加应力。从而检测GaN集成功率芯片在不同工作模式下的性能,进而探索GaN集成功率芯片的内部串扰对电学性能的影响。
技术关键词
电学特性参数 负载测试系统 导通电阻测试装置 测试模块 芯片 负载测试方法 示波器 应力 电源模块 测试点 分析仪 功率器件 控制模块 低压电源 脉冲 动态 微控制器 电力电子技术
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