半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备

本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，方法包括：在衬底沿第一方向的两个区域上形成一对第一有源结构和一对第二有源结构；在衬底的两个区域上分别形成隔离结构，以暴露一对第一有源结构；基于一对第一有源结构，形成一对正面晶体管；倒片并暴露一对第二有源结构；基于一对第二有源结构，形成一对背面晶体管；在暴露一对第一有源结构和/或暴露一对第二有源结构之后，刻蚀位于逻辑区域内的隔离结构，以使得位于逻辑区域内的有源结构的高度高于位于存储区域内的有源结构的高度。本申请可以实现逻辑区域和存储区域有源结构的不同高度，有利于芯片不同区域对晶体管性质的需求。