上电复位检测电路及芯片

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上电复位检测电路及芯片
申请号:CN202411737624
申请日期:2024-11-29
公开号:CN119675640A
公开日期:2025-03-21
类型:发明专利
摘要
本申请涉及集成电路技术领域,公开一种上电复位检测电路,包括:偏置生成电路,包括串接的偏置电阻和第二MOS管,偏置电阻连接电源电压,以生成偏置电压;其中,第二MOS管工作于亚阈值区;检测电路,包括依次串接的第一电阻、第一MOS管和第二电阻;第一MOS管的栅极和偏置生成电路生成的偏置电压连接,且第一MOS管的漏极电压作为电源电压的检测点电压;比较电路,分别与偏置生成电路的偏置电压和检测电路的检测点电压连接,用于比较偏置电压和检测点电压的大小。该检测电路有助于减少上电复位检测模块对电源电压检测的离散范围,使芯片的复位电压不随温度变化。本申请还公开一种芯片。
技术关键词
MOS管 检测点 生成电路 上电复位 复位检测电路 生成偏置电压 电阻 芯片 栅极 集成电路技术 电源 逻辑电路 电流镜 电平 信号 输出端 模式
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