摘要
本申请提供了一种缓冲电路、芯片和电子设备,涉及半导体技术领域,可以解决高电压范围的芯片无法接收低电压范围输入信号的问题。该缓冲电路包括:第一PMOS管、第一PMOS管的栅极与缓冲电路的输入端连接,第一PMOS管的体电极与电源连接,第一PMOS管的源极通过第一分压电路与电源连接,第一PMOS管的体电极电压高于第一PMOS管的源极电压;第一NMOS管,第一NMOS管的栅极与缓冲电路的输入端连接,第一NMOS管的源极接地,第一NMOS管的体电极通过第二分压电路与电源连接,第一NMOS管的体电极电压高于第一NMOS管的源极电压;第一PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极与缓冲电路的输出端连接。
技术关键词
缓冲电路
PMOS管
电阻
NMOS管
N型金属氧化物半导体
P型金属氧化物半导体
电极
二极管
反相器
栅极
电源
电压
输出端
电子设备
输入端
芯片
阴极
阳极
信号