缓冲电路、芯片和电子设备

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缓冲电路、芯片和电子设备
申请号:CN202411744595
申请日期:2024-12-01
公开号:CN119727701A
公开日期:2025-03-28
类型:发明专利
摘要
本申请提供了一种缓冲电路、芯片和电子设备,涉及半导体技术领域,可以解决高电压范围的芯片无法接收低电压范围输入信号的问题。该缓冲电路包括:第一PMOS管、第一PMOS管的栅极与缓冲电路的输入端连接,第一PMOS管的体电极与电源连接,第一PMOS管的源极通过第一分压电路与电源连接,第一PMOS管的体电极电压高于第一PMOS管的源极电压;第一NMOS管,第一NMOS管的栅极与缓冲电路的输入端连接,第一NMOS管的源极接地,第一NMOS管的体电极通过第二分压电路与电源连接,第一NMOS管的体电极电压高于第一NMOS管的源极电压;第一PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极与缓冲电路的输出端连接。
技术关键词
缓冲电路 PMOS管 电阻 NMOS管 N型金属氧化物半导体 P型金属氧化物半导体 电极 二极管 反相器 栅极 电源 电压 输出端 电子设备 输入端 芯片 阴极 阳极 信号
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