背面供电芯片封装结构及其制备方法

AITNT
正文
推荐专利
背面供电芯片封装结构及其制备方法
申请号:CN202411745748
申请日期:2024-11-29
公开号:CN119581347A
公开日期:2025-03-07
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种背面供电芯片封装结构及其制备方法,通过第一半导体衬底、第一晶体管层、钝化层、第一信号布线层及第一电源布线层构成背面供电逻辑芯片,且利用背面供电逻辑芯片堆栈存储芯片,有效缩小封装厚度,减小封装结构尺寸;背面供电逻辑芯片及贯穿第一晶体管层内部的金属柱,可有效缩短传输距离,减少功耗。
技术关键词
半导体衬底 布线 芯片封装结构 晶体管 电源 硅衬底 环氧树脂层 大马士革工艺 存储芯片 机械研磨法 氮化硅 氧化硅 逻辑 凸块 正面 功耗 激光
系统为您推荐了相关专利信息
1
没有空腔间隔物结构的栅极全环绕晶体管
栅极结构 半导体材料 栅极电介质 间隔物结构 集成电路
2
一种电力无线高速通信装置
高速通信 信号处理模块 射频前端模块 电源管理模块 液冷散热片
3
一种智能鞋可拆分组合式加热按摩控制系统
按摩控制系统 热调节系统 电加热元件 温控算法 加热模块
4
一种数据采集装置的拓展板
数据采集装置 RS485接口 主控模块 LoRa模块 光电隔离电路
5
驱动电路、LED芯片以及LED照明装置
电流控制单元 斜坡发生器 运算放大器 调节器 LED照明装置
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号