没有空腔间隔物结构的栅极全环绕晶体管

公开了没有空腔间隔物结构的栅极全环绕晶体管。本文中提供了用于形成具有代替电介质间隔物的将栅极结构与源极或漏极区域分开的半导体层的集成电路的技术。FET(场效应晶体管)包括具有处于栅极电介质上的栅极电极的栅极结构。栅极结构在半导体材料的任何数量的纳米带周围延伸。纳米带可以在源极和漏极区域之间在第一方向上延伸，而栅极结构在纳米带之上在第二方向上延伸。半导体层将栅极结构与相邻纳米带之间的源极或漏极区域分开而不接触。半导体层在栅极结构与源极或漏极区域之间、并且也在纳米带与源极或漏极区域之间在第三方向上延伸。源极或漏极区域可以外延生长在半导体层上。