一种宽禁带半导体复合芯片结构及其制备方法

本发明提供一种宽禁带半导体复合芯片结构及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该复合芯片结构通过导电塞将以宽禁带半导体材料为主体的宽禁带半导体耐压单元与在传统半导体材料上制作的开关控制单元进行垂直集成，使得复合芯片结构既具有宽禁带半导体材料的耐压性能，又避免了宽禁带半导体材料开关控制器件制作时的各种问题，同时还避免了现有的集成技术中存在的异质材料界面缺陷和界面势垒的问题。该复合芯片结构具有更小的芯片面积和更优的电学性能。