基于非晶氧化物半导体/AlScN的铁电结构及其制备方法和应用

本发明提供了一种基于非晶氧化物半导体/AlScN的铁电结构及其制备方法和应用。所述铁电结构包括衬底和外延生长于所述衬底上的AlScN薄膜，所述衬底包括非晶氧化物半导体材料，所述衬底与所述AlScN薄膜的结合界面为所述非晶氧化物半导体材料。所述AlScN薄膜具有良好的铁电性以及高的剩余极化强度，在非晶氧化物半导体上集成AlScN薄膜，可以制备出顶栅结构的铁电场效应晶体管，从而可应用于高密度、非易失性存储领域以及神经形态芯片领域。