切割方法以及半导体器件的制造方法

本发明提供一种切割方法以及半导体器件的制造方法，切割方法包括：提供一基底，所述基底包括多个器件区以及连接相邻所述器件区的切割道区；沉积第一保护层覆盖于所述基底上；形成第二保护层覆盖于所述第一保护层上；向所述基底的切割道区发射激光，以至少切割所述第二保护层和所述第一保护层，所述第一保护层与所述第二保护层对所述激光的吸收系数之差在设定范围内，以防止在切割时所述第二保护层与所述第一保护层之间分层。本发明的技术方案能够防止熔渣污染芯片以及影响后续芯片的键合。