一种半导体芯片及其制作方法

本发明提供一种半导体芯片及其制作方法，半导体芯片包括：衬底，衬底顶部包括至少一个阱区，阱区顶部包括间隔设置的金属硅化物区；埋氧层，设置在衬底的表面上；有源硅层，设置在埋氧层的表面上；多晶硅柱结构，多晶硅柱结构由埋氧层的表面延伸至金属硅化物区的表面，在一个阱区的顶部，间隔设置的金属硅化物区表面上的多晶硅柱结构的极性不同；以及金属插塞，金属插塞由有源硅层的表面延伸至多晶硅柱结构的顶部；其中，在阱区上，极性不同的多晶硅柱结构的顶端向外连接有电源，以形成一闭合导电回路。本发明可实现对芯片局部高温区域进行散热，还可减少对芯片进行散热处理所需的空间体积。