一种可提高光提取效率的LED芯片及其制备方法

本发明属于LED芯片技术领域，具体涉及一种可提高光提取效率的LED芯片及其制备方法，制备方法包括下列步骤：制备外延片结构；制备n型半导体台面；在n型半导体层上制备n型金属电极，在p型半导体层上制备p型金属电极；n型金属电极在氮气氛围下，进行高温退火形成n型欧姆接触；制备透光层；在透光层上制备导电通孔。本发明通过控制n型金属电极厚度和透光层厚度，首先通过减薄n型金属电极，然后在n型金属电极上方与量子阱外侧相对应区域制备透光层，避免金属电极对光的吸收，提高光线透过，大大提高侧壁出光，进一步提高了光提取效率。